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Transistor IRLR3636PBF

Transistor IRLR3636PBF
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002-1776
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Lisboa: indisponível
Portela: indisponível
Corroios: indisponível
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Unidade de venda: unidade
Vendido em múltiplos de: 1

Quantidade:

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-
HEXFET® Tipo Tecnologia: de transistor: gate: 99A- N-MOSFET
-
de Polarização: unipolar
-
SMD- on-state: Tensão dreno-fonte: 1.05K/W- +/-16V- 60V
-
térmica: Corrente Resistência DPAK- de 6.8mOhm- 1.05K/W- dreno: on-state: 33nC- 99A
-
Resistência Tensão Potência: +/-16V- +/-16V- 143W
-
gate-source: Carga Encapsulamento: térmica: DPAK
-
Tensão Encapsulamento: Resistência gate-source: 143W- +/-16V
-
Potência: gate-source: Resistência 99A- on-state: dreno: Carga 6.8mOhm
-
de Resistência térmica: de 1.05K/W
-
dreno-fonte: Montagem: SMD
-
Carga Polarização: Montagem: de Corrente gate: transistor: Tensão 33nC
-
de Tecnologia: Tipo HEXFET®
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Lojas físicas: FREIXEIRA/LOUSA LISBOA PORTELA CORROIOS PORTO FUNCHAL

 

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