Transistor IGBT IKA06N60TXKSA1

Especificações técnicas

• Tipo de componente: IGBT discreto com díodo antiparalelo
• Tecnologia: Trench Field Stop
• Tensão máxima coletor-emissor (VCE): 600 V
• Corrente máxima de coletor (IC): 10 A, nas condições especificadas para a ficha de distribuição; a corrente nominal de referência do fabricante é 6 A a uma temperatura de caixa de 100 °C
• Corrente de coletor de pico (ICM): 18 A
• Tensão de saturação coletor-emissor (VCE(sat)): 1,5 V típica e 2,05 V máxima, a 6 A e com comando de porta de 15 V, a 25 °C
• Carga de porta típica: 42 nC
• Potência máxima dissipada: 28 W, sujeita às condições térmicas especificadas
• Tempo de atraso de ligação: aproximadamente 9 ns
• Tempo de atraso de desligamento: aproximadamente 130 ns
• Tempo de recuperação inversa do díodo: 123 ns
• Temperatura de funcionamento da junção: −40 °C a +175 °C
• Encapsulamento: PG-TO220-3-31, FullPAK
• Número de terminais: 3
• Tipo de montagem: THT