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  5. 002-6697

Transistor MOSFET AO6401A

Transístor MOSFET de canal P ideal para aplicações de comutação com baixa resistência e alta eficiência. Permite operar até 30 V e 4 A, garantindo performance fiável em circuitos eletrónicos compactos. Montagem SMD para integração fácil em placas modernas.
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Especificações técnicas

  • Tipo de componente: Transístor MOSFET
  • Tipo de canal: P
  • Modo de funcionamento: Enriquecimento
  • Tensão máxima dreno-fonte (VDS): -30 V
  • Corrente máxima de dreno (ID): -4 A
  • Potência máxima dissipada: 1,3 W
  • Tensão máxima porta-fonte (VGS): ±12 V
  • Resistência no estado de condução (RDS(on)): 47 mΩ
  • Carga total da porta (Qg): 7 nC
  • Encapsulamento: TSOP-6
  • Número de terminais: 6
  • Tipo de montagem: SMD (Surface-Mount Device)
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