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Electrónica
Transistores
002-6681
Transistor FDB44N25TM
Transistor N-MOSFET unipolar de potência, com dreno-fonte 250 V, corrente de dreno 40 A e potência 307 W, em encapsulamento D2PAK para montagem em superfície. Ideal para comutação de cargas em fontes de alimentação, circuitos de potência e aplicações industriais, oferecendo bom desempenho térmico, eficiência e fiabilidade em projetos de semicondutores de alta potência.
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002-6681
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DETALHES
Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: 250V
- Corrente de dreno: 40A
- Potência: 307W
- Encapsulamento: D2PAK
- Montagem: SMD