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Electrónica
Transistores
002-6612
Transistor RFP50N06
Transístor de potência com tecnologia N-MOSFET, dreno-fonte de 60V e corrente de 50A, capaz de dissipar até 131W. Disponível em embalagem TO220AB com montagem THT, apresenta resistência on-state de 22 mΩ e carga de porta de 150nC, suportando tensão porta-fonte de ±20V. Ideal para fontes de alimentação, controlo de motores e circuitos de comutação, oferecendo desempenho estável, fiabilidade e integração fácil em PCB.
REF
002-6612
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DETALHES
Fabricante: ONSEMI
Tipo de transístor: N-MOSFET
Polarização: unipolar
Tensão dreno-fonte: 60V
Corrente de dreno: 50A
Potência dissipada: 131W
Carcaça: TO220AB
Tensão porta-fonte: ±20V
Resistência no estado de condução: 22mΩ
Montagem: THT
Carga da porta: 150nC
Espécie de embalagem: tubo
Espécie de canal: enriquecido