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  6. 002-3373

Transistor SMD - N-MOSFET - 100V 36A - IRL540NSTRLPBF

Transístor MOSFET N-MOSFET de potência com alta capacidade de corrente e tensão, ideal para aplicações exigentes. Apresenta baixa resistência em condução e excelente dissipação térmica, garantindo desempenho eficiente e fiável em circuitos eletrónicos.
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  • Tipo de componente: Transístor MOSFET de potência
  • Tipo de canal: N
  • Tensão máxima dreno-fonte (VDS): 100 V
  • Corrente contínua máxima de dreno (ID): 36 A (a TC = 25 °C)
  • Resistência dreno-fonte em condução (RDS(on)): 44 mΩ (máxima, a VGS = 10 V e ID = 18 A)
  • Tensão limiar gate-fonte (VGS(th)): 1–2 V
  • Tensão máxima gate-fonte (VGS): ±16 V
  • Carga máxima da gate (Qg): 74 nC (a VGS = 5 V)
  • Capacitância de entrada (Ciss): 1800 pF (máxima, a VDS = 25 V)
  • Dissipação máxima de potência: 3,8 W (TA) / 140 W (TC)
  • Temperatura de funcionamento: -55 °C a +175 °C
  • Temperatura máxima da junção: 175 °C
  • Encapsulamento: D2PAK (TO-263)
  • Tipo de montagem: Montagem em superfície (SMD)
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