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  5. 002-2918

Transístor N-MOSFET IRLR110

Transístor N-MOSFET com encapsulamento DPAK/TO252 e montagem SMD, adequado para fontes de alimentação, controlo de motores e conversores DC-DC. Suporta até 100V de dreno-fonte, gate-source ±10V, carga de porta 6,1 nC e corrente de dreno 2,7 A. Canal enriquecido, polarização unipolar, dissipa até 25W e Rds(on) de 540 mΩ. Pb-free.
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Especificações:
- Tipo de transístor: N-MOSFET
- Encapsulamento: DPAK, TO252
- Montagem: SMD
- Tensão dreno-fonte: 100V
- Tensão porta-fonte: ±10V
- Carga da porta: 6.1nC
- Corrente de dreno: 2.7A
- Espécie de canal: enriquecido
- Polarização: unipolar
- Potência dissipada: 25W
- Resistência no estado de condução: 540mΩ
- Lead (Pb)-free (IRLR110PbF)


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