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  5. 002-2806

Transistor NTE2970 (=2SK4108)

Transístor de potência N-MOSFET de canal enriquecido, montado em TO3P (THT). Suporta 500 V entre dreno e fonte, com 13,4 A contínuos e 88 A em pulso. A resistência no estado de condução é 0,25 Ω e dissipa até 278 W. O Vgs suporta até ±30 V. Adequado para comutação de altas tensões, fontes de alimentação e drivers de potência, oferecendo fiabilidade e boa gestão térmica em aplicações de alto desempenho.
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€ 19,90
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= 2SK4108
- Fabricante: NTE Electronics
- Montagem: THT
- Corrente de dreno: 13.4A
- Corrente de dreno em impulso: 88A
- Espécie de canal: enriquecido
- Polarização: unipolar
- Potência dissipada: 278W
- Resistência no estado de condução: 0.25Ω
- Tensão dreno-fonte: 500V
- Tensão porta-fonte: ±30V
- Tipo de transístor: N-MOSFET
- Carcaça: TO3P