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  5. 002-2599

Transistor SMD PMBF170,215

Transistor SMD de canal N em tecnologia MOSFET (óxido metálico) com encapsulamento TO-236AB, indicado para montagem em superfície. Opera com Vdss de 60V e Id de 300mA a 25°C. O acionamento de gate varia entre 4,5V e 10V, apresentando Rds(on) máx. de 5Ω a 500mA a 10V. Possui capacitância de entrada (Ciss) de 40pF @ 10V, dissipação de potência máx. 830mW (Tc) e faixa de temperatura de operação entre -65°C e 150°C. Ideal para aplicações de comutação e regulação de potência em arranjos SMT.
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Em Stock (26 unidades) Entrega imediata
€ 2,78
/und
IVA Incluído à Taxa de 23%
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Fabricante Nexperia USA Inc.
Séries TrenchMOS™
Tipo de FET Canal N
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 300mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs 5Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id 2V a 1mA
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 40pF @ 10V
Dissipação de potência (máx.) 830mW (Tc)
Temperatura de operação -65°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido TO-236AB