Ver!
MENU
Sem IVA
Com IVA
0
0
O CARRINHO ESTÁ VAZIO
Ainda não tens produtos no carrinho.
  3. Electrónica
  4. Transistores
  5. 002-2471

Transístor IKP10N60T P10N60P

O transístor N-MOSFET de potência com canal enriquecido oferece comutação rápida, tensão dreno-fonte de 600 V e corrente até 10 A. Possui resistência ON de 0,74Ω e potência dissipada de 200 W, em embalagem TO220AB THT, montável em PCB. Ideal para fontes de alimentação, conversores DC-DC, controlo de motores e aplicações de alta velocidade, com resposta rápida (120 ns) e desempenho estável.
REF
Por Encomenda Entra em contacto connosco
€ 7,50
/und
IVA Incluído à Taxa de 23%
Pedir informaçãoAvisar quando disponível
Carcaça: TO220AB
Carga da porta: 32nC
Corrente de dreno: 10A
Espécie de canal: enriquecido
Espécie de embalagem: tubo
Fabricante: IXYS
Montagem: THT
Polarização: unipolar
Potência dissipada: 200W
Resistência no estado de condução: 0.74Ω
Tempo de prontidão: 120ns
Tensão dreno-fonte: 600V
Tipo de transístor: N-MOSFET