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  3. Electrónica
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  5. 002-2135

Transistor IRFZ44V

Este transístor MOSFET de canal de enriqueção, em encapsulamento TO-220AB no formato THT, suporta VDS até 60 V e ID contínua de 55 A, com potência dissipada de 115 W e RDS(on) de 16,5 mΩ, apresentando uma carga de porta de 44,7 nC e polarização unipolar com VGS até ±20 V. Ideal para drivers de motor, fontes de alimentação e aplicações de comutação de potência com alta eficiência, beneficiando-se da tecnologia HEXFET para desempenho estável e fiável.
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Descontinuado Produto fora de venda
€ 2,21
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IVA Incluído à Taxa de 23%

Carcaça: TO220AB
Carga da porta: 44.7nC
Corrente de dreno: 55A
Espécie de canal: enriquecido
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montagem: THT
Polarização: unipolar
Potência dissipada: 115W
Resistência no estado de condução: 16.5mΩ
Tecnologia: HEXFET®
Tensão descarga-fonte: ±20V
Tensão dreno-fonte: 60V
Tipo de transístor: N-MOSFET