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  3. Electrónica
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  5. 002-2122

Transistor STD13NM60N

O transistor de potência N-MOSFET com dreno-fonte de 600 V, corrente de dreno de 6,93 A e Rds(on) de 360 mΩ dissipa até 90 W. Recomendado para montagem SMD em embalagem DPAK, com tensão de porta-fonte de ±25 V. Ideal para fontes de alimentação, conversores e circuitos de potência de alta tensão, oferecendo comutação estável, eficiência e fiabilidade.
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Fabricante: STMicroelectronics
Montagem: SMD
Carcaça: DPAK
Corrente de dreno: 6.93A
Espécie de canal: enriquecido
Tensão dreno-fonte: 600V
Tipo de transístor: N-MOSFET
Espécie de embalagem: rolo
Resistência no estado de condução: 360mΩ
Tensão porta-fonte: ±25V
Potência dissipada: 90W
Polarização: unipolar