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  5. 002-2099

Módulo IGBT FP75R12KE3

Módulo IGBT de potência em encapsulamento EconoPIM3 com alta capacidade de comutação, VCEO 1200 V e Vce(sat) 2,15 V, Ic 105 A e Pd 350 W. Ideal para aplicações industriais, oferece operação entre -40 °C e 125 °C, dimensões de 17 mm (altura), 122 mm (comprimento) e 62 mm (largura), peso unitário de 300 g, e tensão máxima gate-emitter de 20 V. Série IGBT3-E3.
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Fabricante: Infineon
Produto: IGBT Silicon Modules
Coletor - VCEO máx. de voltagem do emissor: 1200 V
Tensão de saturação do coletor - emissor: 2.15 V
Corrente contínua do coletor a 25ºC: 105 A
Corrente de dispersão do gate - emissor: 400 nA
Pd - Dissipação de potência: 350 W
Caixa / Gabinete: EconoPIM3
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Temperatura operacional máxima: + 125 C
Altura: 17 mm
Comprimento: 122 mm
Tensão do emissor do gate máxima: 20 V
Série: IGBT3 - E3
Nome comercial: EconoPIM
Largura: 62 mm
Peso unitário: 300 g