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  5. 002-2078

Transístor MOSFET IXTQ460P2

MOSFET N de potência em encapsulamento TO3P com tecnologia Polar2, adequado para comutação de alta tensão. Suporta dreno-fonte de 500V e corrente de 24A, com dissipação máxima de 480W e resistência Rds(on) de 270 mΩ. A carga da porta é 48 nC e o tempo de comutação é de 400 ns. Ideal para fontes de alimentação, inversores, drivers de motor e aplicações de potência, com montagem THT para soluções robustas e confiáveis.
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Montagem: THT
Espécie de embalagem: tubo
Corrente de dreno: 24A
Espécie de canal: enriquecido
Polarização: unipolar
Potência dissipada: 480W
Resistência no estado de condução: 270mΩ
Tecnologia: Polar2™
Tempo de prontidão: 400ns
Tensão dreno-fonte: 500V
Tensão porta-fonte: ±30V
Tipo de transístor: N-MOSFET
Carcaça: TO3P
Carga da porta: 48nC