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  3. Electrónica
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  5. 002-2049

Transistor IRLR3110Z

Transistor N-MOSFET HEXFET em encapsulamento DPAK, com tensão dreno-fonte de 100 V, corrente de dreno até 63 A e resistência on-state de 14 mΩ. Possui carga de gate de 34 nC, gate-source de ±16 V e potência máxima de 140 W, tecnologia HEXFET, adequado para comutação eficiente em fontes de alimentação, conversores e dispositivos de potência. Ideal para montagem SMD, oferecendo baixa dissipação e fiabilidade.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: 100V
- Corrente de dreno: 63A
- Potência: 140W
- Encapsulamento: DPAK
- Tensão gate-source: +/-16V
- Resistência on-state: 14mOhm
- Montagem: SMD
- Carga de gate: 34nC
- Tecnologia: HEXFET®