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  5. 002-1960

Transistor BSS138W - SMD

Transístor N-MOSFET de montagem em superfície, com encapsulamento SOT323 e tecnologia SIPMOS, adequado à comutação de sinais de potência. Possui polarização unipolar, tensão dreno-fonte de 60V e corrente de dreno de 0.28A, com potência máxima de 0.5W. A resistência on-state é de 3.5Ω e a tensão gate-source suporta ±20V, ideal para circuitos de controlo de comutação. O formato SMD facilita integrações em designs compactos.
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Referência de fabricante: BSS138WH6327XTSA1

Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Tecnologia: SIPMOS
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: 60V
- Corrente de dreno: 0.28A
- Potência: 0.5W
- Encapsulamento: SOT323
- Tensão gate-source: +/-20V
- Resistência on-state: 3.5Ohm
- Montagem: SMD