Ver!
MENU
Sem IVA
Com IVA
0
0
O CARRINHO ESTÁ VAZIO
Ainda não tens produtos no carrinho.
  3. Electrónica
  4. Transistores
  5. 002-1938

Transistor IPD135N03LGATMA1

Transístor N-MOSFET de potência com tecnologia OptiMOS 3, dreno-fonte de 30 V e corrente de 21 A, dissipando até 31 W. Compatível com a carcaça PG-TO252-3 (SMD), resistência Rds(on) de 13,5 mΩ, porta-fonte com ±20 V, e canal enriquecido. Ideal para comutação em fontes de alimentação, inversores e aplicações de gestão de potência, fabricado pela Infineon Technologies.
REF
Por Encomenda Entra em contacto connosco
€ 1,03
/und
IVA Incluído à Taxa de 23%
Pedir informaçãoAvisar quando disponível
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Tipo de transístor: N-MOSFET
Tecnologia: OptiMOS™ 3
Polarização: unipolar
Tensão dreno-fonte: 30V
Corrente de dreno: 21A
Potência dissipada: 31W
Carcaça: PG-TO252-3
Tensão porta-fonte: ±20V
Resistência no estado de condução: 13.5mΩ
Montagem: SMD
Espécie de canal: enriquecido