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  3. Electrónica
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  5. 002-1934

Transistor BSP373-SMD

Transistor N-MOSFET de montagem SMD com polarização unipolar, capaz de conduzir até 1,8 A com tensão dreno-fonte de 100 V e dissipação de até 1,8 W. Encapsulamento SOT223 para montagem compacta, resistência on-state de 240 mΩ e tensão porta-fonte de ±20 V. Designado para comutação de potência em fontes de alimentação, drivers de motor e circuitos de potência, oferecendo parâmetros estáveis e eficiência em layouts SMD.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: 100V
- Corrente de dreno: 1.8A
- Potência: 1.8W
- Encapsulamento: SOT223
- Tensão gate-source: +/-20V
- Resistência on-state: 240mOhm
- Montagem: SMD