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  3. Electrónica
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  5. 002-1932

Transistor Mosfet FQA11N90C 900V 6.9A 300W TO3PN

Transístor de potência N-MOSFET com canal enriquecido e tecnologia QFET, concebido para comutação de alta tensão. Tensão dreno-fonte 900V e corrente de dreno 6.9A asseguram desempenho estável com dissipação de 300W. Encapsulamento TO3PN em tubo, montagem THT, carga da porta 80nC e VGS ±30V, oferecendo fiabilidade para aplicações exigentes em eletrónica de potência.
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€ 22,10
/und
IVA Incluído à Taxa de 23%
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Fabricante ON SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor N-MOSFET
Tecnologia QFET®
Polarização unipolar
Tensão dreno-fonte 900V
Corrente de dreno 6.9A
Potência dissipada 300W
Carcaça TO3PN
Tensão porta-fonte ±30V
Resistência no estado de condução 1.1Ω
Montagem THT
Carga da porta 80nC
Espécie de embalagem tubo
Espécie de canal enriquecido