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  3. Electrónica
  4. Transistores
  5. 002-1915

Transistor FQP30N06L

transístor de potência N-MOSFET de canal de condução enriquecido, adequado para comutação e aplicações de potência. Em embalagem TO-220-3 (montagem THT), apresenta tensão dreno-fonte de 60 V, corrente de dreno até 22,6 A, resistência on de 35 mΩ e dissipação de 79 W. A porta-fonte suporta até ±20 V, tornando-o adequado a reguladores, drivers e circuitos de potência que exigem controlo estável sem referência à marca.
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Montagem: THT
Espécie de canal: enriquecido
Espécie de embalagem: tubo
Polarização: unipolar
Potência dissipada: 79W
Resistência no estado de condução: 35mΩ
Tensão dreno-fonte: 60V
Tensão porta-fonte: ±20V
Tipo de transístor: N-MOSFET
Carcaça: TO220-3
Corrente de dreno: 22.6A