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  3. Electrónica
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  5. 002-1890

Transistor IRFB7446

Transistor N-MOSFET de alto desempenho para comutação de potência com encapsulamento TO220AB, conduz 123A, dissipa 99W e suporta 40V de dreno-fonte. Tensão gate-source de ±20V, Rds(on) de 3.3mΩ e carga de gate de 62nC, montável em THT. Ideal para fontes de alimentação, drivers de motor e aplicações de potência, oferecendo fiabilidade e eficiência em projetos eletrônicos.
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Características:
IRFB7446PBF
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: 40V
- Corrente de dreno: 123A
- Potência: 99W
- Encapsulamento: TO220AB
- Tensão gate-source: +/-20V
- Resistência on-state: 3.3mOhm
- Montagem: THT
- Carga de gate: 62nC