Ver!
MENU
Sem IVA
Com IVA
0
0
O CARRINHO ESTÁ VAZIO
Ainda não tens produtos no carrinho.
  3. Electrónica
  4. Transistores
  5. 002-1887

Transistor FQA13N50CF

Transistor MOSFET de canal N de potência para comutação de alta tensão, com 15 A de corrente de dreno e 500 V de tensão dreno-fonte. Possui RDS(on) máximo de 0,48 Ω, dissipação de potência até 218 W e faixa de temperatura de funcionamento de -55 a 150ºC. Encapsulamento TO-3PN em montagem THT, com dimensões de 15,8 × 5 × 20,1 mm. Ideal para fontes de alimentação, conversores e aplicações de potência que exigem robustez e confiabilidade.
REF
Por Encomenda Entra em contacto connosco
€ 9,94
/und
IVA Incluído à Taxa de 23%
Pedir informaçãoAvisar quando disponível
Características:
- Tipo de canal: N
- Corrente máxima contínua do dreno: 15A
- Tensão máxima dreno-fonte: 500V
- Resistência máxima dreno-fonte: 480mOhm
- Tensão mínima da gate: 2V
- Tensão máxima gate-fonte: +/- 30V
- Tipo de encapsulamento: TO-3PN
- Montagem: THT
- Dissipação de potência máxima: 218W
- Temperatura de funcionamento: -55..150ºC
- Dimensões: 15.8x5x20.1mm