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  3. Electrónica
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  5. 002-1886

Transistor IRFP4332

Transistor N-MOSFET em encapsulamento TO247AC, adequado para aplicações de potência. Suporta 250V de dreno-fonte e 57A de corrente com dissipação de 360W, oferecendo resistência on-state de 33mΩ. A comutação exige tensão gate-source de ±30V e carga de gate de 99nC, com montagem THT. Polarização unipolar facilita o design de circuitos. Ideal para fontes de alimentação, inversores e controlos de motores, proporcionando desempenho estável fiável em ambientes exigentes.
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€ 14,92
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: 250V
- Corrente de dreno: 57A
- Potência: 360W
- Encapsulamento: TO247AC
- Tensão gate-source: +/-30V
- Resistência on-state: 33mOhm
- Montagem: THT
- Carga de gate: 99nC