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  3. Electrónica
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  5. 002-1868

Transistor STD6NK50ZT4

O transistor de potência N-MOSFET oferece dreno-fonte até 500V, corrente de 3,5 A e potência de 90 W, com encapsulamento DPAK para montagem em superfície. Tem polarização unipolar, resistência on-state de 1200 mΩ e tensão gate-source de ±30 V. Adequado para fontes de alimentação, drivers de comutação, inversores e outras aplicações de potência com montagem SMD, garantindo desempenho estável e confiável.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: 500V
- Corrente de dreno: 3.5A
- Potência: 90W
- Encapsulamento: DPAK
- Tensão gate-source: +/-30V
- Resistência on-state: 1200mOhm
- Montagem: SMD