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  3. Electrónica
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  5. 002-1867

Transistor FQA24N60

Transistor de efeito de campo tipo N-MOSFET de alta tensão com polarização unipolar. Tensão dreno-fonte de 600 V, corrente de dreno até 14,9 A e potência de 310 W. Encapsulamento TO3PN e montagem THT. Tensão gate-source de ±30 V, resistência on-state de 240 mOhm e carga de gate de 145 nC. Adequado para comutação em aplicações que exigem desempenho estável e fiável.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: 600V
- Corrente de dreno: 14.9A
- Potência: 310W
- Encapsulamento: TO3PN
- Tensão gate-source: +/-30V
- Resistência on-state: 240mOhm
- Montagem: THT
- Carga de gate: 145nC