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Transistor HUF75339P3

Transístor N-MOSFET de potência discreta em encapsulamento TO220AB, adequado para comutação e controlo de cargas. Suporta dreno-fonte até 55V, corrente de 75A e potência de 200W, com resistência on-state de 12mOhm e tensão gate-source de ±20V. Montagem THT, carga de gate de 130nC, tornando-o adequado para fontes de alimentação, conversores e drivers de potência em aplicações industriais.
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€ 2,52
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: 55V
- Corrente de dreno: 75A
- Potência: 200W
- Encapsulamento: TO220AB
- Tensão gate-source: +/-20V
- Resistência on-state: 12mOhm
- Montagem: THT
- Carga de gate: 130nC
- Marcação de fábrica: 75339P