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  3. Electrónica
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  5. 002-1858

Transistor IRFD9024

Transistor de potência do tipo P-MOSFET com encapsulamento DIP4 e montagem THT. Suporta tensão dreno-fonte de -60V e corrente de dreno de -1,1A, com potência de 1,3W e resistência on-state de 280 mΩ. A tensão gate-source é ±20V e a carga de gate é 19 nC, facilitando o controlo rápido e estável em circuitos de comutação de potência.
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Características:
- Tipo de transistor: P-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: -60V
- Corrente de dreno: -1.1A
- Potência: 1.3W
- Encapsulamento: DIP4
- Tensão gate-source: +/-20V
- Resistência on-state: 280mOhm
- Montagem: THT
- Carga de gate: 19nC