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  3. Electrónica
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  5. 002-1825

Transistor STF13NM60N

Este MOSFET N-MOS de alta tensão, fabricado pela STMicroelectronics, suporta até 600 V entre dreno e fonte e 6,93 A de corrente de dreno. Possui resistência de condução de 0,36 Ω e dissipa até 25 W, num encapsulamento TO220FP com montagem em through-hole (THT). Com a tecnologia MDmesh, oferece desempenho estável para aplicações de comutação e regulação em fontes de alimentação, drivers de motores e conversores de energia, com polarização unipolar e canal enriquecido para maior eficiência.
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Em Stock (14 unidades) Entrega imediata
€ 3,19
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IVA Incluído à Taxa de 23%
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Carcaça: TO220FP
Corrente de dreno: 6.93A
Espécie de canal: enriquecido
Espécie de embalagem: tubo
Fabricante: STMicroelectronics
Montagem: THT
Polarização: unipolar
Potência dissipada: 25W
Resistência no estado de condução: 0.36Ω
Tecnologia: MDmesh™ ||
Tensão dreno-fonte: 600V
Tensão porta-fonte: ±25V
Tipo de transístor: N-MOSFET