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  3. Electrónica
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  5. 002-1822

Transistor IRFP4227

Transistor de potência do tipo N-MOSFET para montagem em furos passantes (through-hole) com encapsulamento TO247AC. Oferece tensão dreno-fonte de 200 V, corrente de dreno de 65 A e potência de 330 W, ideal para fontes de alimentação, drivers de motor e aplicações de comutação. Apresenta resistência on-state de 25 mΩ e resistência térmica de 0,45 K/W, com proteções de gate de ±30 V. A montagem THT facilita a inserção em placas de circuito impresso robustas para sistemas que exigem desempenho estável e fiável.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: 200V
- Corrente de dreno: 65A
- Potência: 330W
- Encapsulamento: TO247AC
- Tensão gate-source: +/-30V
- Resistência on-state: 25mOhm
- Resistência térmica: 0.45K/W
- Montagem: THT
- Carga de gate: 70nC