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  3. Electrónica
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  5. 002-1810

Transistor FQD7N10L

N-MOSFET de montagem SMD com encapsulamento DPAK, projetado para comutação de potência. Oferece tensão dreno-fonte de 100V, corrente de dreno até 3.67A e potência de 25W, com resistência on-state de 360mOhm. Suporta tensões gate-source de +/-20V, numa arquitetura unipolar e tecnologia QFET, adequado para projetos compactos e eficientes em fontes de alimentação, amplificadores de potência e circuitos de proteção, assegurando confiabilidade e desempenho em aplicações industriais e de consumo.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: 100V
- Corrente de dreno: 3.67A
- Potência: 25W
- Encapsulamento: DPAK
- Tensão gate-source: +/-20V
- Resistência on-state: 360mOhm
- Montagem: SMD
- Carga de gate: 6nC
- Tecnologia: QFET