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  3. Electrónica
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  5. 002-1808

Transistor STP13NM60N

O transistor N-MOSFET de alta tensão, com encapsulamento TO-220-3, oferece 600 V de dreno-fonte e corrente de até 6,93 A, suportando até 90 W de potência dissipada. Utiliza tecnologia MDmesh e apresenta canal enriquecido com polarização unipolar, resistência no estado de condução de 360 mΩ e gate-source de ±25 V. Ideal para componentes de potência em montagens THT, garantindo desempenho estável, fiabilidade e eficiência em aplicações industriais e de consumo.
REF
Indisponível Sem Previsão de Entrega
€ 2,20
/und
IVA Incluído à Taxa de 23%
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Fabricante: STMicroelectronics
Montagem: THT
Potência dissipada: 90W
Polarização: unipolar
Tecnologia: MDmesh™ ||
Corrente de dreno: 6.93A
Espécie de canal: enriquecido
Tensão dreno-fonte: 600V
Tipo de transístor: N-MOSFET
Carcaça: TO220-3
Resistência no estado de condução: 360mΩ
Tensão porta-fonte: ±25V