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  3. Electrónica
  4. Transistores
  5. 002-1794

Transistor STW45NM60

MOSFET de canal N com tensão dreno-fonte de 650 V e corrente de dreno até 28 A, projetado para comutação de potência com dissipação de até 417 W. Encapsulamento TO-247 e montagem THT. Gate-source até ±30V e resistência on-state de 90 mΩ, oferecendo desempenho estável em aplicações de controlo de potência com proteção térmica adequada.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: 650V
- Corrente de dreno: 28A
- Potência: 417W
- Encapsulamento: TO247
- Tensão gate-source: +/-30V
- Resistência on-state: 90mOhm
- Montagem: THT