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  3. Electrónica
  4. Circuitos Integrados
  5. 002-1777

Transistor FDS6680A

Transístor N-MOSFET de montagem SMD com polarização unipolar, suportando dreno-fonte até 30V e corrente de até 12.5A, com potência de 2.5W e resistência on-state de 15mOhm. O encapsulamento SO8 facilita a montagem em PCB, com gate-source de +/-20V e carga de gate de 23nC, adequado para aplicações de comutação rápida e baixo consumo em circuitos de potência.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: 30V
- Corrente de dreno: 12.5A
- Potência: 2.5W
- Encapsulamento: SO8
- Tensão gate-source: +/-20V
- Resistência on-state: 15mOhm
- Montagem: SMD
- Carga de gate: 23nC