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  3. Electrónica
  4. Transistores
  5. 002-1767

Transistor IPD060N03LGATMA1

Transístor de potência N-MOSFET com polarização unipolar, tensão dreno-fonte de 30V e corrente de dreno de 43A. Oferece potência de 56W, encapsulamento PG-TO252-3 e montagem SMD, resistência on-state de 6mOhm e tensão gate-source de +/-20V. Ideal para comutação de potência em fontes de alimentação, drivers e circuitos compactos, proporcionando eficiência estável, dissipação controlada e montagem simplificada em layouts de superfície.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: 30V
- Corrente de dreno: 43A
- Potência: 56W
- Encapsulamento: PG-TO252-3
- Tensão gate-source: +/-20V
- Resistência on-state: 6mOhm
- Montagem: SMD