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  5. 002-1758

Transistor IRF520N

Transístor de efeito de campo N-MOSFET encapsulado em TO220AB, adequado para montagem THT. Oferece 100 V de dreno-fonte, 9,7 A de corrente de dreno e 48 W de potência, com resistência on-state de 200mOhm e resistência térmica de 3.1K/W. A gate-source suporta ±20 V e a carga de gate é de 16.7nC, tornando-o adequado para comutação de alta potência em circuitos de potência.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: 100V
- Corrente de dreno: 9.7A
- Potência: 48W
- Encapsulamento: TO220AB
- Tensão gate-source: +/-20V
- Resistência on-state: 200mOhm
- Resistência térmica: 3.1K/W
- Montagem: THT
- Carga de gate: 16.7nC
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