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  3. Electrónica
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  5. 002-1756

Transistor FDD4685

Transistor P-MOSFET de polarização unipolar com Vds de -40V e Id de -32A, oferecendo 69W de potência em encapsulamento TO252. Compatível com montagem SMD, com tensão gate-source de ±20V e resistência on-state de 42 mΩ. A carga de gate é de 27nC, proporcionando boa capacidade de comutação. Tecnologia PowerTrench que favorece menor dissipação e melhor eficiência em fontes de alimentação, drivers de potência e circuitos de proteção.
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€ 21,80
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Características:
- Tipo de transistor: P-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: -40V
- Corrente de dreno: -32A
- Potência: 69W
- Encapsulamento: TO252
- Tensão gate-source: +/-20V
- Resistência on-state: 42mOhm
- Montagem: SMD
- Carga de gate: 27nC
- Tecnologia: PowerTrench