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  3. Electrónica
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  5. 002-1754

Transistor AOT10N65

Transistor N-MOSFET de potência, com encapsulamento TO220 e montagem THT, capaz de suportar 650 V de dreno e 6,2 A de corrente. Apresenta tensão gate-source de ±30 V, resistência on-state de 1 Ω e carga de gate de 27,7 nC, oferecendo boa linearidade e comutação estável em aplicações de potência. Adequado para design de drivers, fontes e circuitos que exigem montagem por through-hole e dissipação moderada.
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Em Stock (28 unidades) Entrega imediata
€ 2,72
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: 650V
- Corrente de dreno: 6.2A
- Encapsulamento: TO220
- Tensão gate-source: +/-30V
- Resistência on-state: 1Ohm
- Montagem: THT
- Carga de gate: 27.7nC