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Transistor STN3NF06L

Transistor N-MOSFET de potência, unipolar, com tensão dreno-fonte de 60 V e corrente de dreno de 4 A, oferecendo 3,3 W de potência. Encapsulamento SOT223, tensão gate-source de ±16 V e resistência on-state de 100 mΩ, para montagem em superfície (SMD). Ideal para aplicações de comutação e controlo de potência em circuitos eletrónicos.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: 60V
- Corrente de dreno: 4A
- Potência: 3.3W
- Encapsulamento: SOT223
- Tensão gate-source: ±16V
- Resistência on-state: 100mOhm
- Montagem: SMD