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  3. Electrónica
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  5. 002-1741

Transistor IPD050N03LGATMA1

Transistor N-MOSFET de operação unipolar com tensão dreno-fonte até 30V e corrente de dreno de 50A, oferecendo 68W de potência num encapsulamento PG-TO252-3 para montagem SMD. O dispositivo apresenta Rds(on) de 5 mΩ e tensão gate-source de ±20V, adequado para aplicações de comutação de potência em projetos compactos. Ideal para fontes de alimentação, convertidores DC-DC e etapas de potência em placas SMD, conferindo eficiência, fiabilidade e montagem simples.
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Em Stock (2 unidades) Entrega imediata
€ 1,80
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IVA Incluído à Taxa de 23%
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: 30V
- Corrente de dreno: 50A
- Potência: 68W
- Encapsulamento: PG-TO252-3
- Tensão gate-source: ±20V
- Resistência on-state: 5mOhm
- Montagem: SMD