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  3. Electrónica
  4. Transistores
  5. 002-1739

Transistor FQPF3N80C

Transístor de potência do tipo N-MOSFET com polarização unipolar, capaz de suportar tensões de dreno-fonte de 800V e correntes de dreno de até 1,9A. Encapsulamento TO220F e montagem THT facilitam a integração em placas de circuito impresso. Possui resistência on-state de 4,8Ω e tensão gate-source de ±30V, com tecnologia QFET. Ideal para comutação de alta tensão, fontes de alimentação e aplicações de potência, oferecendo fiabilidade e desempenho estável.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: 800V
- Corrente de dreno: 1.9A
- Potência: 39Ohm
- Encapsulamento: TO220F
- Tensão gate-source: ±30V
- Resistência on-state: 4.8Ω
- Montagem: THT
- Carga de gate: 16.5nC
- Tecnologia: QFET