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  3. Electrónica
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  5. 002-1736

Transistor IRFB4115

Transistor de potência N-MOSFET HEXFET com dreno-fonte de 150 V e corrente de dreno até 104 A, oferecendo 380 W de potência de dissipação. O encapsulamento TO-220AB facilita a montagem em PCB, com montagem THT. A tensão gate-source é de 20 V, a resistência on-state é de 11 mΩ e a resistência térmica de 0.4 K/W, assegurando boa eficiência térmica. A carga de gate de 77 nC permite comutação estável em aplicações de potência.
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Em Stock (10 unidades) Entrega imediata
€ 4,78
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tipo de transístor: HEXFET
- Tensão dreno-fonte: 150V
- Corrente de dreno: 104A
- Potência: 380W
- Encapsulamento: TO220AB
- Tensão gate-source: 20V
- Resistência on-state: 11mOhm
- Resistência térmica: 0.4K/W
- Montagem: THT
- Carga de gate: 77nC