Transistor IGW40N60H3

Transistor IGBT de potência com tensão coletor-emissor até 600 V, corrente de 80 A e potência de 306 W, apresentado em encapsulamento PG-TO247-3 com montagem THT. Suporta porta-emissor de ±20 V e utiliza a tecnologia TRENCHSTOP 3.

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DETALHES

Características:
- Tipo de transistor: IGBT
- Polarização: bipolar
- Tensão coletor-emissor: 600V
- Corrente do coletor: 80A
- Potência: 306W
- Encapsulamento: PG-TO247-3
- Tensão porta - emissor: ±20V
- Montagem: THT
- Tecnologia: TRENCHSTOP™ 3

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Transistor IGW40N60H3

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