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  3. Electrónica
  4. Transistores
  5. 002-1699

Transistor IRFP044N

Transistor N-MOSFET HEXFET de potência, polarização unipolar, tensão dreno-fonte: 55 V, corrente de dreno: 49 A, potência: 100 W, encapsulamento TO247AC, tensão porta-fonte: 20 V, resistência on-state: 20 mΩ, resistência térmica: 1,5K/W, montagem: THT, carga de gate: 40,7 nC.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET, HEXFET
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: 55V
- Corrente de dreno: 49A
- Potência: 100W
- Encapsulamento: TO247AC
- Tensão porta-fonte: 20V
- Resistência on-state: 20mOhm
- Resistência térmica: 1.5K/W
- Montagem: THT
- Carga de gate: 40.7nC