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  3. Electrónica
  4. Transistores
  5. 002-1678

Transistor FGL60N100BNTD

IGBT de potência com montagem em THT e embalagem tubo (TO264). Possui tensão coletor-emissor de 1 kV e tensão porta-emissor de ±25 V, oferecendo corrente de coletor de até 42 A e corrente de pulso de 200 A. Dissipa até 72 W e suporta carga de porta de 275 nC. Ideal para aplicações de comutação de alta tensão e dissipação de energia, com encapsulamento robusto para montagem em placa.
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Características:


Montagem: THT
Tensão porta - emissor: ±25V
Corrente do coletor: 42A
Tensão coletor-emissor: 1kV
Potência dissipada: 72W
Carga da porta: 275nC
Corrente do coletor no impulso: 200A
Tipo de transístor: IGBT
Espécie de embalagem: tubo
Carcaça: TO264