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  3. Electrónica
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  5. 002-1670

Transistor IRFB38N20D

Transistor de potência do tipo N-MOSFET HEXFET com polarização unipolar, oferecendo tensão dreno-fonte de 200 V e corrente de dreno de até 44 A. Conduz até 320 W de potência, encapsulamento TO220AB, tensão porta-fonte de 30 V e resistência no estado de condução de 54 mΩ. Possui resistência térmica de 470 mK/W, montagem em THT e carga da porta de 60 nC. Adequado para soluções de comutação de alta performance.
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Em Stock (1 unidade) Entrega imediata
€ 3,16
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Características:
- Tipo de transístor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tipo de transístor: HEXFET
- Tensão dreno-fonte: 200V
- Corrente de dreno: 44A
- Potência: 320W
- Encapsulamento: TO220AB
- Tensão porta-fonte: 30V
- Resistência no estado de condução: 54mOhm
- Resistência térmica: 470mK/W
- Montagem: THT
- Carga da porta: 60nC