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  5. 002-1667

Transistor IRF3710S - SMD

Transístor N-MOSFET de tipo HEXFET com dreno-fonte de 100V e corrente de 57A, oferecendo até 200W de potência em encapsulamento D2PAK para montagem SMD. Apresenta baixa resistência no estado de condução (23mΩ) e tensão porta-fonte de 20V, adequado para aplicações de comutação de alta eficiência. Perfil unipolar, indicado para drivers de potência, fontes chaveadas e automação, com boa dissipação térmica (750mK/W) e montagem compacta.
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Características:
- Tipo de transístor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tipo de transístor: HEXFET
- Tensão dreno-fonte: 100V
- Corrente de dreno: 57A
- Potência: 200W
- Encapsulamento: D2PAK
- Tensão porta-fonte: 20V
- Resistência no estado de condução: 23mOhm
- Resistência térmica: 750mK/W
- Montagem: SMD
- Carga da porta: 86.7nC
- PBF