Transistor FDS8880

Transistor FDS8880, com encapsulamento SOIC8, polaridade canal-N e ligação SMD, oferece potência de 2,8 W e temperatura máxima de 150ºC. É adequado para montagem em superfície, permitindo projetos compactos e estáveis termicamente. Este componente mantém as especificações originais e facilita a integração em circuitos que exigem fiabilidade sob condições de aquecimento.

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DETALHES

Características:
- Encapsulamento: SOIC8
- Polaridade: Canal-N
- Tipo de ligação: SMD
- Potência: 2.8W
- Temperatura máxima: 150ºC

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