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  3. Electrónica
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  5. 002-1655

Transistor IRFP2907

Este transistor é um N-MOSFET HEXFET capaz de suportar até 75 V entre dreno e fonte, com corrente de dreno de 209 A e potência nominal de 330 W. O encapsulamento TO247AC e a montagem THT facilitam a integração em designs de potência. Com Rds(on) de 4,5 mΩ e resistência térmica de 450 mK/W, oferece condução eficiente com boa dissipação. A carga da porta é de 410 nC, ideal para comutação rápida e confiável em aplicações de alta potência.
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Em Stock (4 unidades) Entrega imediata
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Características:
- Tipo de transístor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tipo de transístor: HEXFET
- Tensão dreno-fonte: 75V
- Corrente de dreno: 209A
- Potência: 330W
- Encapsulamento: TO247AC
- Tensão porta-fonte: 20V
- Resistência no estado de condução: 4.5mOhm
- Resistência térmica: 450mK/W
- Montagem: THT
- Carga da porta: 410nC