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  5. 002-1638

Transistor IRF530N

Este MOSFET de potência é um transistor N-MOSFET em encapsulamento TO-220AB com tecnologia HEXFET, adequado para comutação de energia em circuitos de potência. Oferece tensão dreno-fonte de 100V, corrente de dreno de 17A e potência de 79W, com resistência on-state de 90mOhm. A polarização é unipolar e o gate-source suporta ±20V, com carga de gate de 24.7nC. Compatível com montagem THT, oferece fiabilidade e desempenho estáveis para controlo de energia.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tensão dreno-fonte: 100V
- Corrente de dreno: 17A
- Potência: 79W
- Encapsulamento: TO220AB
- Tensão gate-source: +/-20V
- Resistência on-state: 90mOhm
- Montagem: THT
- Carga de gate: 24.7nC
- Tecnologia: HEXFET