Ver!
MENU
Sem IVA
Com IVA
0
0
O CARRINHO ESTÁ VAZIO
Ainda não tens produtos no carrinho.
  3. Electrónica
  4. Transistores
  5. 002-1614

Transistor IRFB4019

Transístor de potência N-MOSFET HEXFET para comutação de alta velocidade. Suporta 150V de dreno-fonte, 17A de corrente, 80W de potência, encapsulamento TO220AB, gate-source 20V, resistência on-state 95mOhm, resistência térmica 1.88K/W, montagem THT e carga de gate 13nC. Ideal para fontes de alimentação, drivers de motores e aplicações de comutação de potência, com desempenho estável e proteção térmica.
REF
Por Encomenda Entra em contacto connosco
€ 2,19
/und
IVA Incluído à Taxa de 23%
Pedir informaçãoAvisar quando disponível
Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarização: unipolar
- Tipo de transístor: HEXFET
- Tensão dreno-fonte: 150V
- Corrente de dreno: 17A
- Potência: 80W
- Encapsulamento: TO220AB
- Tensão gate-source: 20V
- Resistência on-state: 95mOhm
- Resistência térmica: 1.88K/W
- Montagem: THT
- Carga de gate: 13nC